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化學(xué)機(jī)械研磨液全品類產(chǎn)品矩陣

化學(xué)機(jī)械研磨是積體電路晶片製造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝，化學(xué)機(jī)械研磨液是化學(xué)機(jī)械研磨工藝過程中使用的主要化學(xué)材料。根據(jù)研磨對象不同，公司化學(xué)機(jī)械研磨液包括銅及銅阻擋層研磨液、介電材料研磨液、鎢研磨液、基於氧化鈰研磨液、矽晶圓研磨液和用於新材料新工藝的研磨液等產(chǎn)品。目前公司銅及銅阻擋層係列化學(xué)機(jī)械研磨液，可以滿足國內(nèi)晶片製造商的需求，並已在海外市場實(shí)現(xiàn)突破；其他係列化學(xué)機(jī)械研磨液已供應(yīng)國內(nèi)外多家晶片製造商，具體生產(chǎn)規(guī)模會根據(jù)客戶需求量進(jìn)行調(diào)節(jié)。

銅及銅阻擋層化學(xué)機(jī)械研磨液
用於積體電路製造工藝中銅互連的平坦化，產(chǎn)品已在邏輯晶片、記憶體晶片等製程上量產(chǎn)使用。持續(xù)研發(fā)並驗(yàn)證用於下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)用的產(chǎn)品。
鎢化學(xué)機(jī)械研磨液
用於積體電路製造工藝中金屬鎢的去除和平坦化。目前鎢研磨液在記憶體晶片和邏輯晶片領(lǐng)域的應(yīng)用範(fàn)圍和市場份額持續(xù)穩(wěn)健上升，公司緊跟行業(yè)領(lǐng)先客戶的先進(jìn)製程，提前進(jìn)行技術(shù)平臺的布局及技術(shù)能力的積累, 多款鎢研磨液在先進(jìn)製程通過驗(yàn)證並順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
介電材料化學(xué)機(jī)械研磨液
用於積體電路製造工藝中介電材料如二氧化矽、氮化矽等的去除和平坦化。產(chǎn)品已在邏輯晶片、記憶體晶片等製程上量產(chǎn)使用。
基於二氧化鈰研磨液
用於積體電路製造工藝中淺溝槽隔離和其他需要高速去除二氧化矽的研磨工藝中?；抖趸嬆チ系难心ヒ壕哂懈咚偃コ趸?、高選擇比、高平坦化效率等優(yōu)點(diǎn)，並且可以根據(jù)客戶需要開發(fā)多種新產(chǎn)品並順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
矽晶圓化學(xué)機(jī)械研磨液
用於矽晶圓材料的研磨，包括矽粗拋液、矽精拋液等產(chǎn)品係列。安集緊跟國內(nèi)12吋矽晶圓企業(yè)的發(fā)展和打造材料自主可控能力的趨勢，充分瞭解客戶的需求後定製化開發(fā)研磨液產(chǎn)品，公司研發(fā)的新型矽研磨液在客戶端順利上線。
用於新材料新工藝的化學(xué)機(jī)械研磨液
依據(jù)化學(xué)機(jī)械研磨液技術(shù)及產(chǎn)品平臺，緊密配合客戶製程需求，研製開發(fā)用於新技術(shù)、新工藝的化學(xué)機(jī)械研磨液。包括用於先進(jìn)封裝技術(shù)中的TSV通孔研磨液和混合鍵合研磨液，以及適用於聚合物和碳等新材料的研磨液。多個產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供應(yīng)。
功能性濕電子化學(xué)品領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點(diǎn)多產(chǎn)品線布局

功能性濕電子化學(xué)品是指通過配方技術(shù)達(dá)到特殊功能、滿足製造中特殊工藝需求的配方類濕電子化學(xué)品。目前，公司功能性濕電子化學(xué)品主要包括蝕刻後清洗液、去光阻液、研磨後清洗液和蝕刻液係列產(chǎn)品。蝕刻後清洗液、去光阻液、研磨後清洗液已經(jīng)廣泛應(yīng)用於8英寸、12英寸晶圓的積體電路製造領(lǐng)域。

蝕刻後清洗液
鋁蝕刻後清洗液
產(chǎn)品應(yīng)用於積體電路鋁製程工藝金屬綫、通孔及金屬焊盤（pad）蝕刻殘留物去除，提供優(yōu)異的蝕刻殘留物去除能力、低成本。產(chǎn)品已在8英寸及12英寸邏輯晶片、記憶體晶片等領(lǐng)域量產(chǎn)。
銅蝕刻後清洗液
應(yīng)用於積體電路銅互連大馬士革工藝蝕刻殘留物去除。產(chǎn)品具有優(yōu)異的蝕刻殘留物去除能力、低缺陷、低成本。產(chǎn)品已經(jīng)在邏輯晶片多個製程技術(shù)節(jié)點(diǎn)、3D NAND、DRAM等記憶體晶片、CIS等特色工藝及2.5D/3D工藝量產(chǎn)。
TiN Hard mask蝕刻後清洗液
用於積體電路28nm及以下先進(jìn)工藝大馬士革工藝，提供Hard mask去除及蝕刻後聚合物清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。
蝕刻液
選擇性蝕刻液
用於特殊工藝需求，提供SiGe/Si/SiN/Poly等不同材料的選擇性濕蝕刻方案。
CMP後清洗液
銅化學(xué)機(jī)械研磨後清洗
提供酸性、堿性銅研磨後清洗液體係，用於不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)銅研磨後清洗，有效去除研磨後殘留物並保護(hù)銅。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用於90~40nm成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)、28nm及以下先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提供優(yōu)異銅研磨後清洗及基材保護(hù)技術(shù)方案。
光阻去除液
光阻去除液
應(yīng)用於晶圓級封裝、MEMS等先進(jìn)封裝領(lǐng)域厚膜光阻去除。產(chǎn)品具有>100微米光阻去除能力、低成本。產(chǎn)品在8英寸及12英寸晶圓級封裝（金凸點(diǎn)、焊錫凸點(diǎn)、柱狀凸點(diǎn)）、MEMS、TSV等工藝量產(chǎn)。
固化後聚酰亞胺(PI)去除
應(yīng)用於先進(jìn)封裝工藝，提供HD4100,HD8820,BL301聚酰亞胺固化後清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。
助焊劑去除
用於先進(jìn)封裝工藝，提供錫銀凸塊迴流後助焊劑清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。
電鍍液及其添加劑強(qiáng)化及提升電鍍先進(jìn)產(chǎn)品係列戰(zhàn)略供應(yīng)

電鍍是將電解液中的金屬離子通過電化學(xué)的方式沉積在陰極錶面的工藝, 電鍍液是電鍍工藝中關(guān)鍵材料。目前，公司擁有銅、鎳、鎳鐵、錫銀電鍍液係列產(chǎn)品，提供積體電路製造、矽通孔(TSV)及先進(jìn)封裝凸點(diǎn)、再分布綫工藝等解決方案。應(yīng)用在6英寸、8英寸、12英寸工藝。

銅電鍍液及添加劑
用於積體電路大馬士革工藝、矽通孔(TSV)、先進(jìn)封裝凸點(diǎn)及再分布綫等工藝，提供高純銅電鍍方案。產(chǎn)品在先進(jìn)封裝已經(jīng)批量量產(chǎn)，積體電路大馬士革工藝及矽通孔(TSV)工藝驗(yàn)證中。
鎳電鍍液
用於先進(jìn)封裝凸點(diǎn)等工藝，起到異質(zhì)金屬間的阻斷作用。產(chǎn)品批量量產(chǎn)，提供高純、可延展性、低應(yīng)力解決方案。
鎳鐵電鍍液
用於先進(jìn)封裝、MEMS霍爾器件等技術(shù)，產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
錫銀電鍍液
用於先進(jìn)封裝凸點(diǎn)工藝等，提供低速及高速電鍍方案。